𝔖 Bobbio Scriptorium
✦   LIBER   ✦

On Chemical Kinetics of Silicon Deposition from Silane (V) The Effect of Hydrogen Formation

✍ Scribed by Dr. sc. H. Kühne


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1991
Tongue
English
Weight
414 KB
Volume
26
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis


In consequence of hydrogen formation during silane pyrolysis total gas volume increases, when the reaction proceeds at constant total pressure. Any mole of silane decomposed produces two moles of hydrogen. In the present paper expressions are derived for 1' ' and 0.5Ih reaction order describing axial growth rate distribution of the isothermally proceeding reaction for the condition of constant total pressure. Those theoretically expected distributions are compared with results obtained by way of experiment on the one hand and those theoretically expected for the condition of constant gas volume on the other. It is concluded that the experimental results discussed rather agree with constant gas volume than with constant total pressure conditions. So, a compensating increase of total pressure along the tube axis might be supposed.

Wahrend des thermischen Zerfalls von Silan entsteht Wasserstoff, der unter konstantem Druck zu einer VolumenvergroBerung fuhrt. Ein Mol Silan bildet bei seinem Zerfall zwei Mole Wasserstoff. In der vorliegenden Arbeit werden Gleichungen entwickelt, welche die axiale Verteilung der Schichtwachstumsrate fur den Fall der isothermen Reaktionsfiihrung be] konstantem Totaldruck sowohl fur die erste als auch die 0,5-te Reaktionsordnung beschreiben. Diese theoretischen Wachstumsratenverlaufe werden mit experimentell gewonnenen und auch mit solchen Verlaufen, die fur die Bedingung eines konstant gehaltenen Gasvolumens gelten, verglichen. Es zeigt sich, da0 die hier diskutierten Experimentalergebnisse besser mit den fur konstantes Gasvolumen erwarteten als mit den fur konstanten Totaldruck gultigen ubereinstimmen. Der vorliegende Befund konnte durch die Annahme eines kompensierenden Totaldruckanstiegs Iangs der Rohrachse erklart werden.


📜 SIMILAR VOLUMES


On chemical kinetics of silicon depositi
✍ Dr. H. Kühne; H. Harnisch; P. Puk; B. Lassan 📂 Article 📅 1990 🏛 John Wiley and Sons 🌐 English ⚖ 519 KB

## On Chemical Kinetics of Silicon Deposition from Silane (111) LPCVD poly Silicon Formation in the Temperature Range 900-950 K LPCVD poly Silicon deposition form silane has been investigated for limited conditions regarding temperature, silane input and pumping speed. It has been found that layer