Die epitaktische Abscheidung von AIIIBV-Halbleitern durch Pyrolyse metallorganischer Verbindungen erfolgte bisher vorzugsweise auf isolierenden Substraten (MANASEVIT). I n der Literatur wurde die Abscheidung von GaAs auf GaAs und Ge erwiihnt (MANASEVIT, SIMPSON ; RAI-CHOUDHURY). Im Rahmen der vorli
Equilibrium analysis of the MOCVD Ga(CH3)3-AsH3-H3 system
✍ Scribed by B.K. Chadwick
- Publisher
- Elsevier Science
- Year
- 1989
- Tongue
- English
- Weight
- 730 KB
- Volume
- 96
- Category
- Article
- ISSN
- 0022-0248
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