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Epitaktische Abscheidung von GaAs im System Ga(CH3)3AsH3H2 (I) Autoepitaktische Abscheidung

✍ Scribed by Dr. V. Gottschalch; Dr. W.-H. Petzke; Prof. Dr. sc. E. Butter

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1974
Tongue
English
Weight
587 KB
Volume
9
Category
Article
ISSN
0232-1300

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✦ Synopsis

Abstract

Diese Arbeit beschreibt einige Merkmale der Ga(CH~3~)~3~/AsH~3~/H~2~ Pyrolyse. Die Qualität der autoepitaktischen GaAs‐Schichten wurde ätztechnisch, röntgenographisch und durch Betrachtung der Oberflächenmorphologie untersucht. Es ergab sich ein charakteristischer Einfluß der Züchtungsbedingungen (As/Ga‐Verhältnis, Substrattemperatur) auf die Schichtqualität.

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