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Plättchenförmiges Wachstum von GaAs im Ga/H2/AsCl3-System

✍ Scribed by P. Kramer; Dr. W. Schmidt; G. Knobloch; Dr. E. Butter

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1970
Tongue
English
Weight
271 KB
Volume
5
Category
Article
ISSN
0232-1300

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Die epitaktische Abscheidung von AIIIBV-Halbleitern durch Pyrolyse metallorganischer Verbindungen erfolgte bisher vorzugsweise auf isolierenden Substraten (MANASEVIT). I n der Literatur wurde die Abscheidung von GaAs auf GaAs und Ge erwiihnt (MANASEVIT, SIMPSON ; RAI-CHOUDHURY). Im Rahmen der vorli

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## Abstract Diese Arbeit beschreibt einige Merkmale der Ga(CH~3~)~3~/AsH~3~/H~2~ Pyrolyse. Die Qualität der autoepitaktischen GaAs‐Schichten wurde ätztechnisch, röntgenographisch und durch Betrachtung der Oberflächenmorphologie untersucht. Es ergab sich ein charakteristischer Einfluß der Züchtungsb