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Die autoepitaktische Abscheidung von GaAs im System Ga(CH3)3–AsH3–H2

✍ Scribed by Prof. Dr. sc. W.-H. Petzke; Dipl.-Min. V. Gottschalch; Prof. Dr. sc. E. Butter

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1973
Tongue
English
Weight
170 KB
Volume
8
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Die epitaktische Abscheidung von AIIIBV-Halbleitern durch Pyrolyse metallorganischer Verbindungen erfolgte bisher vorzugsweise auf isolierenden Substraten (MANASEVIT). I n der Literatur wurde die Abscheidung von GaAs auf GaAs und Ge erwiihnt (MANASEVIT, SIMPSON ; RAI-CHOUDHURY).

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde versucht, diinne, spiegelglatte GaAs-Schichten auf GaAs zu erhalten. Die Substrattemperaturen lagen zwischen 600 und 830 "C. der Partialdruck von Galliumtrimethyl variierte zwischen 2,O x lo-' und

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## Abstract Durch Pyrolyse von Ga (CH~3~)~3~AsH~3~H~2~ wurden GaAs‐Epitaxieschichten auf (111)‐, (110)‐ und (100)‐Ge‐Substraten abgeschieden. In dieser Arbeit wird der Einfluß der Wachstumsbedingungen und des Gitterunterschiedes von GaAs und Ge auf die Qualität der GaAs‐Epitaxieschichten beschrie

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