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Zur quantitativen Elektronenstrahlmikroanalyse dünner SiO-Schichten

✍ Scribed by Dipl.-Phys. H. Leistner; Dipl.-Phys. J. Herberger; Dipl.-Phys. W. Kosak

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1972
Tongue
English
Weight
223 KB
Volume
7
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Zur quantitativen Elektronenstrahlmikroanalyse dunner Si-0-Schichten

Die Elektronenstrahlmikroanalyse dunner Isolationsschichten erfordert deren Uberdampfung mit eiuer leitfahigen Deckschicht. Es wird eine Moglichkeit der Korrektur des Einflusses der Deckschicht aiif das Analysenergebnis aufgezeigt.

Die Ermittlung des Oxydationsgrades n in SiO ,, erfolgte unter Beriicksichtigung von Absorptions-und Ordnungszahlkorrektur und liefert befriedigende Hrgebnisse im Vergleich mit chcmischen Parallelanalysen.

The electron probe microanalysis of thin isolating films requires evaporating a conductible surfacing. A possihle correction of surfacing influence on to the analysis is shown. The oxidation degree II in SiO, was determined using an absorption and atomic number correction resulting in a good aggreement with chemical analysis.

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