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Dotierung dünner VO2-Schichten

✍ Scribed by K.-D. Ufert; Dr. K. Steenbeck; Dr. R. Steinbeiss

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1977
Tongue
English
Weight
410 KB
Volume
12
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Abstract

Es wird die Herstellung von VO~2~‐Schichten mit W‐ bzw. Al‐Dotierung mit der reaktiven Gleichstrom‐Sputtertechnik und mit nachfolgender Temperaturbehandlung beschrieben. Das Widerstands‐Temperatur‐Verhalten der Schichten wurde in Abhängigkeit von der Dotierungskonzentration und der Kristallitstruktur untersucht. Die Kristallitgröße hat wesentlichen Einfluß auf die elektrische Wirksamkeit der Dotierung.

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