The different precursors that have been tested or that are actually in use for the processing of thin films of nickel by the chemical vapor deposition technique are reviewed. Applications of thin films of nickel are presented. Deposition conditions and characteristics of the films obtained from different precursors are detailed. Ni(CO&,, NiCp2, Ni(MeCp),, Ni@$, Ni(dmg)2, and Ni(den)2 appear as the most promising ones. The final choice of a precursor for the MOCVD of Ni films depends on requirements concerning the process (e.g. safety issues, deposition temperature, growth rate) and the purity of the deposited films. R&urn6 -PrCcurseurs et conditions op&ratoires pour 1'6laboration de couches minces de nickel par d6pi3t chimique en phase vapeur & partir de pr6curseurs m&al-organiques. Dans cette mise au point, les diff&rents pr&nrseurs qui ont 6ttB test& ou qui sent actuellement utilists pour 1'Claboration de couches minces de nickel par d.5pBt chimique en phase vapenr & partir de pr&curseurs m&l-organiques (MOCVD) sont recensts. Des applications actnelles et potentielles des couches minces de nickel sent prBsentCes. Les conditions op6ratoires et les caractiristiques des couches obtenues a partir de diff6rents pr&curseurs sent d&a.i116es. Ni(C0)4, NiCp2, Ni(MeCp)z, Ni(hfa)*, Ni(dmg)2, et Ni(den)z apparaissent comme les pr6curseurs les plus in&essants. 11 s'avtre que le choix optimal d'un pr&urseur pour la MOCVD de couches minces de Ni d&end des impkratifs concernant le pro&d6 (stcuritk d'opkation, tempkrature de dkp&, vitesse de croissance) et la puretC des d@&a.