Institiit fur Festkorpcrphysik und Elcktroncnmikroskopie der Akadcmie dcr Tl'issonschaften der DDR, IIalle, und VEB Gleichrichterwcrlc Stahnsdorf
Copper Precipitation in Longtime Diffused Silicon
The generation of microdefects in FZ-silicon during long-time high-temperature processing, necessary for tho production of power devices, has been investigated by etching techniques and transmission electron microscopy. The results prove the defects t o be large precipitates, which may generate dislocations and stacking faults. The analysis of hloirt': fringes and the interpretation of selected area diffraction patterns indicate the materia,l t o be CuSi. The experimental findings are interpreted by the help of an extension of the existing model for the copper precipitation process.
Durch Atztechniken und
Transmissions-Elektronenmikroskopie ist die Rildung von Mikrodefekten in FZ-Silizium wahrend Langzoit-Hochtemperaturbehandlungen, wie sie zur Herstellung von Leistungsbauelementen crfordcrlich sind, untersucht worden. Die Ergebiiisse zeigen, daI3 es sich um groDe Ausscheidungen handolt, die Versetzungen und Shpelfehler erzeugen Ironnen. Die Analysc von Moir6Strcifen und die Auswertung von Feinbereichs-Beugungsaufnahinen denten darauf hin, daI3 es sich I I ~ CuSi-Ausscheidungen handelt. Die exporimentellen Ergebnisse worden mit Bilfc einer Erweiterung des bisher existierenden Modells fur den Kupfer-Ausscheidungsprozel3 interprotiert.