𝔖 Bobbio Scriptorium
✦   LIBER   ✦

Über Versetzungsbildungsmechanismen bei der Züchtung von Si-Einkristallen und ihre Deutung

✍ Scribed by Dr.Phys. W. Geil; Dr. A. Lebek; Dipl. Phys. K. Schmugge

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1976
Tongue
English
Weight
647 KB
Volume
11
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Abstract

Die Züchtung von 〈111〉 orientierten Si‐Einkristallen hoher struktureller Perfektion wird mit steigendem Kristalldurchmesser schwieriger. Deshalb ist für die Entwicklung geeigneter Züchtungsverfahren zur Herstellung versetzungsfreier Kristalle die Kenntnis über die Bildung von Versetzungen in der versetzungsfreien Matrix von Bedeutung. Unter der Voraussetzung, daß das Überschreiten des Wertes der kritischen Schubspannung die Ursache der Versetzungsbildung ist und, daß die Spannung im Kristall sowohl durch die Existenz radialer und axialer Temperatur‐ und Fremdstoffgradienten bedingt sind, werden die Unterschiede für die Mindestpannungen bei bestimmten bevorzugten Züchtungsrichtungen aus einem Modell der dichtesten Kugelpackung bestimmt. Als bevorzugte Züchtungsrichtungen werden dabei die 〈111〉‐ und 〈100〉‐Orientierung angesehen. Im Ergebnis der Arbeit resultieren Hinweise über die Verfahrensweise beim Züchten von Si‐Einkristallen mit bestimmten Eigenschaften.

📜 SIMILAR VOLUMES

Über die Anwendung axialen Gleichstroms
Über die Anwendung axialen Gleichstroms bei der Züchtung von Si-Einkristallen großer Durchmesser
✍ Dr. A. Lebek; Dipl.-Phys. W. Geil; Dipl.-Phys. K. Schmugge 📂 Article 📅 1972 🏛 John Wiley and Sons 🌐 English ⚖ 712 KB

Die vorliegende Arbeit legt Ergebnisse dar, die bei der Zuchtung von Si-l3inkristrtllcti mit einem Durchmesser bis 43 mm nach der Methode des tiegelfreien Zonenziehcns unter Anwendung eines axialen Gleichstromes erzielt werden konnten. Der EinfluO der Jouleschen Wiirme und des Peltiereffektes auf di

Über die Züchtung von ZnS-, ZnSe- und Zn
Über die Züchtung von ZnS-, ZnSe- und ZnTe-Einkristallen unter Anwendung der chemischen Transportreaktion
✍ Dr. Horst Hartmann 📂 Article 📅 1974 🏛 John Wiley and Sons 🌐 English ⚖ 632 KB

## Abstract Für die Züchtung von ZnS‐, ZnSe‐ und ZnTe‐Einkristallen über chemischen Transport in abgeschlossenen Systemen wurden die günstigsten Versuchsbedingungen durch Analyse des stattfindenden Materialtransportes unter Berücksichtigung seiner Wirkung auf das Kristallwachstum ermittelt. Die auf

Einige kritische Bemerkungen zu Untersuc
Einige kritische Bemerkungen zu Untersuchungen über die Neubildung von Versetzungen bei tiegelfreier Züchtung von Si-Einkristallen von W. Schröder und E. Wolf
✍ W. Geil; A. Lebek; K. Schmugge 📂 Article 📅 1974 🏛 John Wiley and Sons 🌐 English ⚖ 247 KB 👁 1 views

Akademie der Wissensclkaften der DDR -Zentrum Ai r wissenschaftlichen Ger Webau, Berlin Einige kritische Bemerhngen zu Untersuchungen tiber die Neubildung von Versetzungen bei tiegelfreier Ziichtung von Si-Einkristallen vonW. SCHRO DER -Ud E. WOLF In einer Arbeit vom Mfirz dieses Jahres machen SCHR6

Oberflächenstörungen und Hohlwachstum be
Oberflächenstörungen und Hohlwachstum bei der Züchtung von β-Kupferphthalocyanin-Einkristallen aus der Gasphase
✍ Prof. Dr. sc. C. Hamann; Dr. rer. nat. F. Przyborowski; Dr. rer. nat. F. Kersten 📂 Article 📅 1976 🏛 John Wiley and Sons 🌐 English ⚖ 526 KB

## Abstract Bei der Züchtung von Kupferphthalocyanin‐Einkristallen aus der Gasphase bilden sich häufig Hohlformen. Diese Erscheinung erschwert bzw. verhindert vorgesehene experimentelle Studien. Untersuchungen zur Überwindung dieser Schwierigkeiten werden beschrieben. Ursachen des Hohlwachstums sin