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Oberflächenstörungen und Hohlwachstum bei der Züchtung von β-Kupferphthalocyanin-Einkristallen aus der Gasphase

✍ Scribed by Prof. Dr. sc. C. Hamann; Dr. rer. nat. F. Przyborowski; Dr. rer. nat. F. Kersten

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1976
Tongue
English
Weight
526 KB
Volume
11
Category
Article
ISSN
0232-1300

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✦ Synopsis

Abstract

Bei der Züchtung von Kupferphthalocyanin‐Einkristallen aus der Gasphase bilden sich häufig Hohlformen. Diese Erscheinung erschwert bzw. verhindert vorgesehene experimentelle Studien. Untersuchungen zur Überwindung dieser Schwierigkeiten werden beschrieben. Ursachen des Hohlwachstums sind, wie aus den Beobachtungen von Oberflächenstörungen und aus zielgerichteten Züchtungsexperimenten hervorgeht, Wachstumsinstabilitäten, hervorgerufen durch diffusionsbedingte Inhomogenität der Überschreitung über der Wachstumsfront. Durch die Einführung besonderer Verfahrensweisen der Züchtung und Wahl bestimmter Parameter gelang es, volle Kristalle größerer Abmessungen, bis zu einem Millimeter in Querrichtung, zu erhalten. Veröffentlichungen zum Hohlwachstum anderer Substanzen aus der Gasphase werden referiert.

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KriatuZZund Technik I 7 I 8 I 1972 I 935-941 I l3. CLAWS, R. EHLERS VEB Spurenmctnllc Frciberg (WIB) Bctrieh irn Kombinat VEB Halbleitcrwcrk Frankfurt/Od. Zur Bestimmung des effektiven Verteilungskoeffizienten von Te bei der Ziichtung von Gap-Einkristallen aus nichtstochiometrischen Schmelzenl) In A