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Zur Bestimmung des effektiven Verteilungskoeffizienten von Te bei der Züchtung von GaP-Einkristallen aus nichtstöchiometrischen schmelzen

✍ Scribed by Dr. D. Clauss; R. Ehlers


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1972
Tongue
English
Weight
374 KB
Volume
7
Category
Article
ISSN
0232-1300

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✦ Synopsis


KriatuZZund Technik I 7 I 8 I 1972 I 935-941 I l3. CLAWS, R. EHLERS VEB Spurenmctnllc Frciberg (WIB) Bctrieh irn Kombinat VEB Halbleitcrwcrk Frankfurt/Od. Zur Bestimmung des effektiven Verteilungskoeffizienten von Te bei der Ziichtung von Gap-Einkristallen aus nichtstochiometrischen Schmelzenl) In AnschlnB an eine einfuhrende Betrachtung wird eine Bestimmungsgleichung fur den effektiven Verteilungskoeffizienten keff unter den Bedingungen der Einkristallzuchtung aus nichtstochiometrischen Schmelzen vorgeschlagen. Diese Gleichung kommt bci der Ermittlung von keff des Te fur Te-Konzentrationen in der Schmelze von 3,5 bis 91 -10-3 At% zur Anwendung. Der aus einer Vielzahl von Messungen erhaltene k,ff-Wert bet,ragt 0,070 mit den 1 a-Grenzen 0,116 und 0,043. Die relativ grol3e Streubreite wird mit dem verfahrensbedingten sowie auf die polaren Eigenschaften des Gap-Kristallgitters zuriickgehenden inhomogenen Dotanteneinbau hc- griindet..

An equation for determining the effective distribution coefficient, kerf, under t,he condit.ions of growing single crystals from non-stoichiometric melts is proposed. This equation is used for the calculation of keff a t To concentrations in the melt from 3.5 x up to 9.1 x at,.%. From numerous measurements a keff value of 0.070 witah the 1 n boundaries at, 0.116 and 0.043 is found. The relatively wide spread is accounted for by t,he heterogeneous distribut#ion of doping material which is duc to tJhe technique applied and t,o t,he polnr properties of the GaP Int.t,ice.