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Untersuchungen zur Neubildung von Versetzungen bei der tiegelfreien Züchtung von Silizium-Einkristallen

✍ Scribed by Dr.-Ing. W. Schröder; E. Wolf

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1974
Tongue
English
Weight
467 KB
Volume
9
Category
Article
ISSN
0232-1300

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Abstract

Bei der tiegelfreien Züchtung versetzungsfreier Silizium‐Einkristalle werden häufig spontane Versetzungs‐Neubildungen beobachtet, die nicht auf erkennbare Ursachen zurückzuführen sind. Mit Hilfe röntgentopographischer und metallographischer Analysenmethoden wird versucht, den Ursprung dieser Versetzungsbildungen im Kristall zu lokalisieren. Ihre Entstehung in Bereichen der Kristalloberfläche läßt auf das Vorhandensein eines Temperatur‐Spannungs‐Mechanismus schließen, welcher infolge hoher Temperaturschocks die Bildung neuer Versetzungen in noch plastischen Gebieten des bereits gebildeten Kristalls auslöst.

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