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Non-destructive determination of residual stresses in circular silicon wafers

✍ Scribed by A.T. Andonian; S. Danyluk

Publisher
Elsevier Science
Year
1984
Tongue
English
Weight
436 KB
Volume
11
Category
Article
ISSN
0093-6413

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Aus den mit dem Doppelkristallspektrometer i n (n, -n)-Stellung aufgenommenen Rockingkurven von bordotiertem Silizium kann sehr einfach die relative Gitterkonstanteniinderung der dotierten Schicht mit groI3er Genauigkeit bestimmt werden. Fur die Errechnung des Gitterkontraktionskoeffizienten erweist