Stresses in silicon after boron diffusion (III) determination of lattice contraction coefficient in consideration of residual stresses

✍ Scribed by Prof. Dr. O. Brümmer; J. Eschrich; H. R. Höche

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1971
• Tongue: English
• Weight: 322 KB
• Volume: 6
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19710060412

✦ Synopsis

Aus den mit dem Doppelkristallspektrometer i n (n, -n)-Stellung aufgenommenen Rockingkurven von bordotiertem Silizium kann sehr einfach die relative Gitterkonstanteniinderung der dotierten Schicht mit groI3er Genauigkeit bestimmt werden. Fur die Errechnung des Gitterkontraktionskoeffizienten erweist es sich als wichtig, die nach der Bordiffusion auftretenden elastischen Restspannungen zu berucksichtigen, um damit eine Korrektur des mit dem Doppelkristallspektrometer erhsltenen Wertes vorzunehmen. Der korrigierte Gitterkontraktionskoeffixient betriigt 2,5cms/ Atom.

Rocking curves of boron diffused silicon obtained by a double crystal spectrometer in (n, -n) position permit a rather simply determination of the relative variation of the lattice constant of the doped layer with high accuracy. For the calculation of the lattice contraction coefficient it is important t o take into consideration the residual stresses found after boron diffusion in order to correct the value obtained from the double crystal spectrometer. The corrected lattice contraction coefficient is 2.5 * cm3/atom.