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Stresses in Silicon after Boron Diffusion (I). Determination of Residual Stresses in Boron-diffused Silicon Slices Using Lang's Method

✍ Scribed by Prof. Dr. O. Brümmer; Dipl.-Phys. H. R. Höche


Publisher
John Wiley and Sons
Year
1969
Tongue
English
Weight
435 KB
Volume
4
Category
Article
ISSN
0232-1300

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Aus den mit dem Doppelkristallspektrometer i n (n, -n)-Stellung aufgenommenen Rockingkurven von bordotiertem Silizium kann sehr einfach die relative Gitterkonstanteniinderung der dotierten Schicht mit groI3er Genauigkeit bestimmt werden. Fur die Errechnung des Gitterkontraktionskoeffizienten erweist