Stresses in silicon after boron diffusio
✍
Prof. Dr. O. Brümmer; J. Eschrich; H. R. Höche
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Article
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1971
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John Wiley and Sons
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English
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Aus den mit dem Doppelkristallspektrometer i n (n, -n)-Stellung aufgenommenen Rockingkurven von bordotiertem Silizium kann sehr einfach die relative Gitterkonstanteniinderung der dotierten Schicht mit groI3er Genauigkeit bestimmt werden. Fur die Errechnung des Gitterkontraktionskoeffizienten erweist