MOCVD layer growth of ZnO using adducts of dimethyl- and diethylzinc

✍ Scribed by Dr. Th. Kaufmann; G. Fuchs; M. Webert; S. Frieske; M. Gäckle

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1989
• Tongue: English
• Weight: 387 KB
• Volume: 24
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.2170240306

✦ Synopsis

MOCVD Layer Growth of ZnO Using Adducts of Dimethyl-and Diethylzinc Reaction mixtures of the tetrahydrofuran adducts of Zn(CH,), and Zn(C,H,), with tertiary butanol are very well suitable for the NIOCVD of c-axis oriented ZnO films. The deposition process is greatly determined by the kind of the gas inlet into the vertical reactor. The growth rates present a great dependence on temperature. The incorporation of compensating copper acceptors can be achieved with the help of cyclopentadienyl (tributy1phosphine)-copper (I). The structural and the electrical properties of the films are presented.

Reaktionsgemische der Tetrahydrofuran-Addukte von Zn(CH,), und Zn(C,H,), mit Tertiarbutylalkohol eignen sich sehr gut fur die MOCVD von c-achsenorientierten ZnO-Schichten. Der AblagerungsprozeB wird wesentlich durch die Art des Gaseinlasses in den Vertikalreaktor bestimmt. Die Wachstumsraten weisen eine starke Abhangigkeit von der Temperatur auf. Der Einbau von kompensierenden Kupferakzeptoren gelingt mit Hilfe von Cyclopentadienyl (tributylphosphin) Kupfer (I). Die Schichten werden strukturell und elektrisch charakterisiert.