A-oriented GaAs substrates by flash evaporation in the substrate temperature range Tsub = 570 ... 870 K. Epitaxialgrowth begins at Tsub = 645 K. The films had always the chalcopyrite structure. Indications to a transition from the chalcopyrite phase to the sphalerite phase were observed at Tsub = 870 K. Films grown at Tsub 800 K showed n-type conductivity whereas at growth temperatures Tsub 2 850 K the films were always p-type conducting. A donor level and an acceptor level with ionization energies of 0.24 eV and 0.22 eV, respectively, were found from an analysis of the electrical measurements.
wurden mittels Flash-Verdampfung auf halbisolierenden (1 11) A-orientierten GaAs-Substraten bei Substrattemperaturen T8Ub = 570 ... 870 K hergestellt. Epitaktisches Wachstum beginnt bei Tsub = 645 K. Die Schichten hatten stets Chalkopyritstruktur. Hinweise auf einen tfbergang von der Chalkopyritphase zur Sphaleritphase wurden bei Tsub = 870 K gefunden. Bei Tsub 800 K zeigten die Schichten n-Leitung, wahrend die Schichten bei Darstellungstemperaturen von Tsub 2 850 K stets p-leitend waren. Aus einer Analyse der elektrischen Messungen ergaben sich ein Donatorniveau und ein Akzeptorniveau mit Ionisierungsenergien von 0,24 eV bzw. 0,22 eV.