Doping of Silicon Epitaxial Layers With Arsenic at Very High Concentrations

✍ Scribed by Dr. H. Krause

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1969
• Tongue: English
• Weight: 370 KB
• Volume: 4
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19690040306

✦ Synopsis

Doping of Silicon Epitaxial Layers with Arsenic at very High Concentrations

Silicon epitaxial layers grown from reduction of SiCl, in H, have been highly doped with arsenic. As an upper limit of doping for layers without structural defects typical to high doping a value of about 2 . 1019 (3111-3, corresponding with 3.4 .

ohm . em has been found. In higher doped layers we observed growth of pyramids and a stripest,ructure. An energy of 0.36 ev has been calculated for introducing one arsenic atom into the silicon lattice from temperature dependence of the built-in concentration of arsenic at' IOl9 cm-3.

Silizium-Epitaxieschichten, hergestellt aus der Reduktion von SiC1, in H,, wurden stark mit Arsen dotiert. Als obere Grenze der Dotierung fur Schichten, die frei von dotierungstypischen Strukturfehlern sind, wurde etwa. 2 . 1 OI9 gefunden, was einem spezifischen Widerstand von 3,4 4 10-3 Ohm. cm entspricht. Oberhalb dieser Konzentration wurden Pyramidenwachstum und das Auftreten einer Streifenstruktur beobachtet.

Aus der Temperaturabhangigkeit der Dotierung fur den Konzentrationsbereich l0l9 wurde eine Einbauenergie von 0,36 eV fur den Einbau eines Arsenatoms in das Siliziumgitter berechnet.