## Abstract Es wird über röntgentopografische Untersuchungen an hoch Sn‐dotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die röntgentopografische Abbildung von spezifischen Defekten, verbunden mit einem inhomogenen Dotierungseinbau durch konstituti
Zur Realstruktur von hochdotierten Galliumarsenid-Einkristallen
✍ Scribed by Dr. B. Schumann
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1976
- Tongue
- English
- Weight
- 530 KB
- Volume
- 11
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Abstract
Es wird über weitere Realstrukturuntersuchungen (Ätzen, Kathodolumineszenz u. a.) an hochdotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die Korrelation des Auftretens der Zellenstruktur und von Züchtungsparametern wird diskutiert.
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