Zur Realstruktur von Ga1–xInxAs LPE-Schichten

✍ Scribed by Prof. Dr. E. Butter; Dr. B. Jacobs; Dr. H. Krämer; Dr. W. Schmidt; J. Stary; Dr. W. Wolff

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1975
• Tongue: English
• Weight: 459 KB
• Volume: 10
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19750100511

✦ Synopsis

Abstract

Ga~1–x~In~x~As‐Epitaxieschichten (0,02 < × < 0,12) auf (111)‐orientierten GaAs‐Substraten wurden aus nichtstöchiometrischen Schmelzen erhalten. – Die aus Strukturätzungen ermittelten Versetzungsdichten lagen zwischen 2 · 10^5^ cm^−2^ und 3 · 10^7^ cm^−2^, in Abhängigkeit von der Zusammensetzung, der Schichtdicke und der Abkühlungsgeschwindigkeit. – Röntgentopographische Untersuchungen an {110}‐Spaltflächen lieferten Informationen über die Schichtperfektion und deuten am Heteroübergang Schicht/Substrat auf Verspannungen des Substratgitters hin. Die röntgenographische Gitterkonstantenbestimmung bestätigt die Gültigkeit der Vegardschen Regel im untersuchten Konzentrationsbereich. Die Halbwertsbreite von Doppelkristall‐Reflexionskurven, die Ätzgrubendichte und die relative Photolumineszenzintensität zeigen analoge Abhängigkeiten von der Zusammensetzung der Schichten.