## Abstract Es wird über weitere Realstrukturuntersuchungen (Ätzen, Kathodolumineszenz u. a.) an hochdotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die Korrelation des Auftretens der Zellenstruktur und von Züchtungsparametern wird diskutiert.
Röntgentopografische Untersuchungen an hochdotierten Galliumarsenid-Einkristallen
✍ Scribed by Dr. B. Schumann; Doz. Dr. M. Schulz
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1974
- Tongue
- English
- Weight
- 837 KB
- Volume
- 9
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Abstract
Es wird über röntgentopografische Untersuchungen an hoch Sn‐dotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die röntgentopografische Abbildung von spezifischen Defekten, verbunden mit einem inhomogenen Dotierungseinbau durch konstitutionelle Unterkühlung und Zellenwachstum, wird beschrieben. Spezielle Kontrasterscheinungen werden diskutiert.
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