Untersuchungen an Si-Epitaxieschichten auf Mg-Al-Spinell-Einkristallen
✍ Scribed by Dr. rer. nat. H. Krause; Dipl.-Ing. M. Fienhold
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1972
- Tongue
- English
- Weight
- 852 KB
- Volume
- 7
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
In MgAl-Spinell, der nach dem Verneuill-Verfahren hergestellt worden war, wurden Versctzungsdichten ungleichmiil3iger Verteilung zwischcn lo4 und lo7 cm-' gefunden. Rontgenografische Orientierungsmessiingen crgaben Abweichungen der Wachstumsrichtung von der Stabachse bis zu 8". ALIS Berg-Barrett-Aufnahmen wurde auf stark ausgepriigte Substrukturcn geschlossen. Silizium-Epitaxieschichten auf MgAl-Spinell wurden nach der pyrolytischen Reduktionsreaktion von SiC1, in H, hergestellt. Keimbildung, hzrcaktionen auf dem Substrat und Qualitat der Si-Schichten werden diskutiert. Messungcn der Tragerbeweglichkeit im Dotierungsbereich von 1016 bis 1017 ~m -~ ergaben 60 bis SOY' der Volumenbeweglichkeit des Siliziums. Auf Probleme der Entmischung bei Temperung wird eingegangen. Der Einsatz von Si-Schichten auf Isolatorsubstraten wird diskutiert.
In Verncuil-grown MgAl-spinels etch pit densities with non-uniform distribution between lo4 and lo7 cm-2 were found. X-ray measurements of orientations showed deviations of the growth direction from the rod axis up to 8 deg. Berg-Barrett photographs point to distinctly marked substructures. Si epitaxial layers on MgAl-spinel were prepared according to the pyrolytic reductive reaction of SiCl, in H,. Nucleation, etching reaction on the substrate and the quality of the Si layers are discussed. Measurements of the carrier mobility in the doping range from l O I 6 to 10" * resulted in 60 to 80 p.c. of the volume mobility of tho silicon. Problems of segregation withannealing are dealt with.The use of Si layerson insolatingsubstrates is discussed.