Zur Abscheidung einfacher und komplizierter Halbleiterwerkstoffe aus der Gasphase (111) 6. Prlparation von AlP-Epit,axieschicht,en im System A1-P-J-Ar Die Praparation erfolgte in einer Versuchsanlage, die bis auf einige Details der von REID, MULLER und GOERMG entsprach. Das Tragergas tritt aus dern
Zur Abscheidung einfacher und komplizierter Halbleiterwerkstoffe aus der Gasphase (I)
✍ Scribed by Dr.-Ing. E. Seidowski; Dr.-Ing. S.-O. Newiak
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1976
- Tongue
- English
- Weight
- 633 KB
- Volume
- 11
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Abstract
In der vorliegenden Arbeit werden die Möglichkeiten der Anwendung der chemischen Thermodynamik zur quantitativen Beschreibung chemischer Gasphasenabscheidungsprozesse von Halbleitern diskutiert. Einen wesentlichen Teil nimmt die Darlegung der Stellung der Thermodynamik in der Gasphasenhalbleitermetallurgie ein. Es wird ein Modell beschrieben, welches die Optimierung der Abscheidungsprozesse einfacher und komplizierter Halbleiterwerkstoffe ermöglicht. Dieses Modell wird unter praktischen Gesichtspunkten ausführlich am Beispiel der Abscheidung von Aluminiumphosphid im System AlPJAr erläutert. Durch Vergleich der errechneten optimalen Abscheidebedingungen mit den experimentellen wird die Möglichkeit und Notwendigkeit von Prozeßoptimierungen hervorgehoben.
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Demonstration und weiteren Konkretisierung soll in diesem Kapitel ausfuhrlicher das oben beschriebene Model1 dargestellt werden. Als Objekt der Untersuchungen sol1 das AlP dienen. Wie bekannt ist, gehort das Aluminiumphosphid (All?) zu den am wenigsten untersuchten 111-V-Verbindungshalbleitern. Das