✍ Scribed by Dr. K. G. Günther
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Mffusionsprobleme beim Antang;swachstum dunner Schichten') Diffusion is a stochastic process. The known differential equation of diffusion theory is valid on assumptions which are not realized always at the beginning of thin film growth. Moreover the stochabtic processes of aggregation produce clust
## Abstract Es wird die Herstellung von VO~2~‐Schichten mit W‐ bzw. Al‐Dotierung mit der reaktiven Gleichstrom‐Sputtertechnik und mit nachfolgender Temperaturbehandlung beschrieben. Das Widerstands‐Temperatur‐Verhalten der Schichten wurde in Abhängigkeit von der Dotierungskonzentration und der Kris
## Abstract In Abhängigkeit von der Substrattemperatur und der Schichtdicke wird die Hochvakuumaufdampfung von TiO~2~ auf luft‐ und vakuumgespaltenen NaF‐, NaCl‐ und NaBr‐ Substraten untersucht. Bei geringen Substrattemperaturen scheidet sich amorphes TiO~2~ ab, bei höheren Temperaturen treten zwei