Inhaltsu È bersicht. Durch Oxidation von elementarem Gallium mit NH 4 F (in Gegenwart von Indium) konnten bei 325 °C u. a. Einkristalle von Ga(NH 2 )F 2 ´NH 3 erhalten und die Kristallstruktur aufgekla È rt werden [monoklin, C2/m (Nr. 12), a . Es liegen Schichten aus eckenverknu È pften [Ga(NH 3 ) 2
✦ LIBER ✦
Ueber das Borimid, B2(NH)3
✍ Scribed by Stock, Alfred ;Blix, Martin
- Publisher
- Wiley (John Wiley & Sons)
- Year
- 1901
- Weight
- 477 KB
- Volume
- 34
- Category
- Article
- ISSN
- 0365-9631
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