Single crystal epitaxial layers of A1,Gal -,As solid solutions and GaAs-Al,Gal -,As heterojunctions were obtained on gallium arsenide substrates by crystallization from a solution of arsenic in a gallium-aluminium melt,. Multilayer structures of the type p(n)GaAs-p(n)Al,~Gal-,,As-p(n)Al,,Gal-., As-n(p)Al,,Gal -,* As@, >z2< 4
were prepared by successive growth. A study of the photoluminescence spectra of the epitaxial layers, of the heterojunction electroluminescence and of the data of the electron microprobe analysis showed the parameter "x" in crystallizing solid solutions to be maximum at the interface, decreasing gradually as one moves away from it.
The dependence of the band gap width on composition of the Al,Gal-,As solid solutions was determined and the relation between compositions of the solid and liquid phases a t various temperatures was studied. I n heterojunctions and multilayer structures with heterojunctions coherent radiation was obtained in the energy range 1.47 -1.70 eV with a threshold current density of about lo3 A Einkristalline epitaktische Schichten von A1,Gal -,As-Mischkristallen und GaAs-Al,Gal -,As Heteroiibergange auf Galliumarsenid-Substraten wurden durch Kristallisation aus einer Losung von Arsen in einer Gallium-Aluminium-Schmelze erhalten.
As--n(p)Al,,Gal --zgA~ (xl > x2 < x3) wurden durch aufeinanderfolgendes Wachstum dargestellt. Eine Untersuchung der Photolumineszenzspektren der epitaktischen Schichten, der Elektrolumineszenz der Heteroiibergange und der Werte der Elektronenstrahlmiliroanalyse zeigte, daR die Parameter ,,x" beim Kristallisieren der Mischkristalle an der Grenzflache einen groRten Wert haben, der sich bei zunehmender Entfernung von dieser Grenze erniedrigt. Die Abhangigkeit der Breite der verbotenen Zone des Bandes von der Zusammensetzung der A1,Gal -,As-Mischkristalle wurde bestimmt und die Beziehung zwischen der Zusammensetzung der festen und der fliissigen Phasen bei verschiedenen Temperaturen untersucht. I n Heteroiibergiingen und Mehrschichtstrukturen mit Heteroiibergangen wurde koharente Strahlung im Energiebereich von 1,47 -1,70 eV mit einem Schwellenwert der Stromdichte von etwa lo3 Acm-2 beobachtet.
Mehrschichtstrukturen vom Typ p(n)GaAs-p(n)Al,,Gal -,,As-p(n)Al,,Gal