Experiments on the bending of silicon crystals at elevated temperature show that the ease with which polygonization occurs depends on the orientation of the bending crystal. If the crystal is oriented so that only one slip system operates in a given region, an homogeneous aggregation of dislocations is produced, and these climb readily. If, however, intersecting sets of dislocations are produced locally, the possibility of forming Lomer-Cottrell barriers is present, climb is inhibited and polygonized arrays do not appear. L'EFFET D'ORIENTATION AU COURS DE LA POLYGONISATION DE CRISTAUX FLECHIS DE SILICIUM Des essais SUP des cristaux de silicium f&his B haute temperature, montrent que la faoilite de l'apparition de la polygonisation depend de l'orientation du cristal. Si celle-ci est telle qu'un seul systeme de glissement soit actif dans une region don&e, il se produit une agglomeration homogene des dislocations et leur montee (climbing) est air&e. Cependant si il se forme localement des rassemblements de dislocations qui se recoupent, il peut, apparaitre des barrieras de Lomer-Cottrell, un empechement a la montee des dislocations. Des lors, la polygonisation n'apparait pas. UBER DEN EINFLUSS DER ORIENTIERUNG AUF DIE POLYGONISATION VON GEBOGENEN SILIZIUM-KRISTALLEN Experimente tiber das Biegen von Silizium-Kristallen bei hoheren Temperaturen zeigen, daes die Neigung zur Polygonisation von der Orientierung des gebogenen Kristalls abhhngt. 1st der Kristall so orientiert, dass nur ein Gleitsystem in einem bestimmten Bereich betiitigt wird, so entsteht eine homogene Anhiiufung von Versetzungen, die leicht klettern kiinnen. Sind jedoch Cirtlich Versetzungen auf sich durchschneidenden Gleitebenen in Tiitigkeit, dann k6nnen sich Lomer-Cottrell-Barrieren bilden, die das Klettern der Versetzungen behindern, so daas keine polygonisierten Bereiche auftreten.