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Nachweis von Sauerstoff in Silizium-Einkristallen mittels ESR

✍ Scribed by Neubrand, H.

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1973
Tongue
English
Weight
736 KB
Volume
17
Category
Article
ISSN
0031-8965

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## Abstract Nach einer mehrstündigen Wärmebehandlung von versetzungsfreien sauerstoffreichen Czochralski‐Si‐Einkristallen bei 1000°C lassen sich mittels Sirtl‐Ätzmittel züchtungsbedingte Inhomogenitäten anätzen. Es wird gezeigt, daß die Ausbildung dieser Kristallbaufehler durch Wärmebehandlung in e

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Durch geeignete Atzverfahrcn kann an Siliziumkristallen anch in den versetzungsfreien Bereichen eine echte Atzstruktur sichtbar gemacht werden. Die dtzgrubenformen sind wesentlich bedingt durch die Orientierung der Schliffflachen. Die Atzstruktur kann von Wachstumsbereichen herriihren, die von { 111