Zur Ätzstruktur von Silizium-Einkristallen, besonders in versetzungsfreien Bereichen

✍ Scribed by Dr. M. Schreckenbach

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1971
• Tongue: English
• Weight: 761 KB
• Volume: 6
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19710060606

✦ Synopsis

Durch geeignete Atzverfahrcn kann an Siliziumkristallen anch in den versetzungsfreien Bereichen eine echte Atzstruktur sichtbar gemacht werden. Die dtzgrubenformen sind wesentlich bedingt durch die Orientierung der Schliffflachen. Die Atzstruktur kann von Wachstumsbereichen herriihren, die von { 111 1 -Fliichen begrenzt sind, an denen Verunreinigungen abgeschieden bzw. adsorbiert sind.

In silicon crystals a real etching structure can be visualized by means of a suitablc method of etching also in the domains free from dislocations. The shapes of etch pits are chiefly dcpendent on the orientation of the grinding faces. It may be that the etching structure comes from growth domains, bordered by faces { 111 } , at which impurities arc segregated or adsorbed.