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Nachweis und diffusion von Sauerstoff in GaAs

✍ Scribed by J. Rachmann; R. Biermann


Publisher
Elsevier Science
Year
1969
Tongue
English
Weight
365 KB
Volume
7
Category
Article
ISSN
0038-1098

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## Abstract Nach einer mehrstündigen Wärmebehandlung von versetzungsfreien sauerstoffreichen Czochralski‐Si‐Einkristallen bei 1000°C lassen sich mittels Sirtl‐Ätzmittel züchtungsbedingte Inhomogenitäten anätzen. Es wird gezeigt, daß die Ausbildung dieser Kristallbaufehler durch Wärmebehandlung in e