MOVPE of InP Using Trimethylindium -Trimethylamine Adduct
Dedicated to Professor E. BUTTER on the occasion of his 60th birthday Growth of InP layers by MOVPE using trimethylindium-trimethylamine (TMIn-TMN) is described. Low temperature photoluminescence results reveal the high crystal quality indicated by the well resolved excitonic spectra and high internal quantum efficiency. A strong near-gap luminescence degradation with decreasing substrate temperature during the growth corresponds with the increasing deep level concentration estimated by the DLTS-investigations. In the specimens prepared at higher temperatures carbon and zinc are believed to be the main residual acceptors. From C-V data free carrier concentrations of 10'' cm-3 were obtained.
Das MOVPE Wachstum von InP unter Verwendung von Trimethylindium-Trimethylamin
(TMIn-TMN) wird vorgestellt. Die Ergebnisse der Tieftemperaturphotolumineszenz weisen auf Grund der gut aufgelosten Excitonenspektren sowie der hohen inneren Quantenausbeute die gute Qualitat des Materials nach. Die starke Abnahme der bandkantennahen Lumineszenz bei verringerter Ziichtungstemperatur steht mit der durch DLTS-Untersuchungen bestimmten Konzentration tiefer Zentren in Zusammenhang. Kohlenstoff und Zink werden als wesentliche Akzeptorverunreinigungen bei hoheren Ziichtungstemperaturen angesehen. Durch C-V-Messungen wurden freie Ladungstragerkonzentrationen von lOI5 cm-3 bestimmt.