LPE Growth of GaInAsP/InP Heterostructures for 1.3 pm Planar Buried Mesa Lasers
LPE heterostructure growth processes devised to prepare GaInAsP/InP planar buried mesa ridge (PBMR) lasers are described. A combination of supercooling and two-step cooling regimes of LPE was used to grow InGaAsP/InP heterostructures with the active layer flanked by two waveguiding layers. The optical waveguide geometry was optimised to yield minimum threshold current density. Low-temperature (600°C) LPE process was employed to regrow the etched mesa structure. The prepared PBMR laser devices with optical resonator lengths of 250 pm exhibited room temperature threshold current values near 20 mA and To values in the range 60-70 K. Optical power-versus-current characteristics were linear up to 25 mW. Es werden die Fliissigphasenepitaxieverfahren (LPE Prozesse) beschrieben, die zum Wachstum von InGaAsP/InP Heterostrukturen benutzt worden sind, um die PBMR (planar-iiberwachsene Mesa Ridge) Laserdioden herzustellen. Mittels einer Kombination zweier Methoden, namlich des ,,supercooling'' und der zweistufigen LPE, wurde das Wachstum der InGaAsP/InP Heterostrukturen erreicht, deren aktive Zone von beiden Seiten von wellenleitenden Schichten flankiert ist. Die Geometrie des optischen Wellenleiters wurde optimiert, um einen minimalen Schwellenstrom zu erzielen. Bei der zweiten Wachstumstufe wurde ein LPE ProzeD bei niedriger Temperatur (600 "C) angewandt. Die hergestellten PBMR Laserdioden mit der Resonatorlange von 250 pm haben Schwellenstromwerte urn etwa 20 mA bei Raumtemperatur, und die To Werte liegen im Interval1 60-70 K. Die Licht-Strom-Charakteristiken sind linear bis zu 25 mW. ', 1 ~ I n P substrate I1001 1 ' . refractive index ' ' Fig. 1. Scheme of a live-layers GaInAsP/lnP ' I (A, = 1.3 pm) InP heterostructure with double wave-! '