KRIECHEN VON SILIZIUM-EINKRISTALLEN* l3. REPPICH,? P. HAASENt und B. ILSCHNERt Silizium-Einkristalle mit verschiedenen eingewachsenen Versetzungsdichten wurden im einachsigen Druck mit konstanter Last verformt. Es wurden Kriechkurven in Abhiingigkeit van der Schubspannung und Temperatur aufgenommen und mit einer einfachen Theorie verglichen. Danach bewegen sich Versetzungen im gemessenen Bereich mit einer der Spannung proportionalen Geschwindigkeit. Die Ausgangsversetzungsdichte beeinflusst im wesentlichen nur die Inkubationszeit des Kriechens. CREEP OF SILICON SINGLE CRYSTALS Silicon single crystals of two different grown-in dislocation densities were deformed in uniaxial compression under constant load. Creep curves obtained as a function of temperature and shear stress were compared with a simple theory. Accordingly, dislocations in silicon move viscously, velocity being proportional to stress. The density of grown-in dislocations influences only the incubation period of creep. LE FLUAGE DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM Les auteurs ont p&par& des monocristaux de silicium caract&&% par des densites de dislocations diff.+entes et les ont soumis & une deformation en compression uniaxiale sous charge constante.