## Abstract Oberflächenabdrucke von unbehandelten sowie von verschiedenen Behandlungen unterworfenen CdS‐Einkristallen wurden elektronenmikroskopisch bei 12000‐facher Vergrößerung untersucht. An Behandlungsverfahren wurden Temperungen im Hochvakuum, Bestrahlungen mit hohen Lichtintensitäten und Bes
Oberflächeneffekte an Silizium-Einkristallen
✍ Scribed by L. Köhler; B. Rausch
- Publisher
- John Wiley and Sons
- Year
- 1972
- Tongue
- English
- Weight
- 407 KB
- Volume
- 7
- Category
- Article
- ISSN
- 0232-1300
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✦ Synopsis
Ilcrliri
-Oberschonewci[l~ 0 berf lachenef f ekt e an Silizium -Einkri s tallen Nach der Diffusion odcr Temperung voii Si-Planarscheiben im Valruum oder i i i nicht. oxydierunder Atmosphiire, wurden Abtragui>g.cn unterschiedlicher Geometric: an dar Oberf'liiche beobachtet. Charakteristische i%t.zstriikturen wurdeii nach der hseii-Diffusion unter bestimmten experimentellen Bcdingungeii gafunden. Als Ursache der Abtragungen wird die Anwcsenheit voii Wasserspuren angeriommen.
Structures of different geometry were observed on surfaces after diffusion or annealing of Si planar slices in vacuum or non-oxidizing atmosphere. Characteristic etch structures worc .found after arsenic diffusion under determined experimental conditions. Traces of water are considered to hc the cause for the levels.
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