[IEEE 2012 IEEE Symposium on VLSI Technology - Honolulu, HI, USA (2012.06.12-2012.06.14)] 2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) - Integration of 4F2 selector-less crossbar array 2Mb ReRAM based on transition metal oxides for high density memory applications

✍ Scribed by Lee, Hyung Dong; Kim, S. G.; Cho, K.; Hwang, H.; Choi, H.; Lee, J.; Lee, S. H.; Lee, H. J.; Suh, J.; Chung, S.-O.; Kim, Y. S.; Kim, K. S.; Nam, W. S.; Cheong, J. T.; Kim, J. T.; Chae, S.; Hwang, E.-R.; Park, S. N.; Sohn, Y. S.; Lee, C. G.; Shin, H. S.; Lee, K. J.; Hong, K.; Jeong, H. G.; Rho, K. M.; Kim, Y. K.; Chung, S.; Nickel, J.; Yang, J. J.; Cho, H. S.; Perner, F.; Williams, R. S.; Lee, J. H.; Park, S. K.; Hong, S.-J.

• Book ID: 125543712
• Publisher: IEEE
• Year: 2012
• Weight: 377 KB
• Category: Article
• ISBN: 1467308455
• DOI: 10.1109/VLSIT.2012.6242506