Heteroübergänge auf der Grundlage dünner Tellurschichten

✍ Scribed by Dr.-Ing. W. Thieme; K. t. n. A. D. Gončarov; K. f. m. n. V. Ja. Ševčenko

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1976
• Tongue: English
• Weight: 497 KB
• Volume: 11
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.19760110808

✦ Synopsis

Abstract

Es wird die Züchtung von Heterostrukturen durch gerichtete Kristallisation einer dünnen Schmelzschicht im engen Raum zwischen zwei fremdartigen Substraten untersucht. Als Modellmaterialien wurden für die Dünnschicht Te, für das Halbleitersubstrat Ge bzw. CdS ausgewählt. Untersuchungen zeigten, daß sich nach dieser Methode abrupte CdSTe‐Übergänge züchten lassen und sich die GeTe‐Strukturen mit einem komplizierten Übergangsbereich ausbilden. Messungen bei 77 K wiesen für die Strukturen CdSTe und GeTe ausgeprägte Photoempfindlichkeit und auf der I____V‐Strukturen Bereiche mit negativer Leitfähigkeit aus.