Heteroübergänge auf der Grundlage dünner
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Dr.-Ing. W. Thieme; K. t. n. A. D. Gončarov; K. f. m. n. V. Ja. Ševčenko
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Article
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1976
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John Wiley and Sons
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English
⚖ 497 KB
## Abstract Es wird die Züchtung von Heterostrukturen durch gerichtete Kristallisation einer dünnen Schmelzschicht im engen Raum zwischen zwei fremdartigen Substraten untersucht. Als Modellmaterialien wurden für die Dünnschicht Te, für das Halbleitersubstrat Ge bzw. CdS ausgewählt. Untersuchungen z