A transmission electron microscopy study has been made of the growth of nickel films electrodeposited from a Watts bath at a cd of 1 mA/cms on to vapour-deposited (100) copper films. Average film thicknesses in the range 75-250 A have been studied both in position on the substrate and as separate s
Electron microscopy of electrodeposited films
β Scribed by J.D. Embury; W.R. Duff
- Publisher
- Elsevier Science
- Year
- 1966
- Tongue
- English
- Weight
- 244 KB
- Volume
- 11
- Category
- Article
- ISSN
- 0013-4686
No coin nor oath required. For personal study only.
β¦ Synopsis
Ah&act-This
communication describes some preliminary observations concerning direct observation of electrodeposited copper 6lms in contact with a copper-4 % indium substrate. The observations differ from prevrous transmission microscopy studies of electrodeposited lihns in that the nature and defect content of the interface is revealed. The results indicate that at low deposition rates epitaxial deposits are formed whereas at higher deposition rates polycrystalline deposits are formed which contain a much higher defect density than the epitaxial deposits.
R&rum&Observations d%lectro-depots de
Cu sur substrat d'alliage Cu-In 4 %. 11 y a des differences avec de pr&c&-lentes observations par microscopic de transmission sur des fihns de m&ne nature, ce qui rWle les defauts de la surface. Les depots sont epitaxiques a faible vitesse de deposition mais polycristallins et a densit6 de defauts accrue, a plus grande vitesse de deposition. WsstruR-Die Mitteihmg beschreibt einige vorhiutlge Ergebnisse der direkten Reobachtung galvanischer Kupferilberztige im Kontakt mit einem 4% Indium enthaltenden Kupfersubstrat. Die Reobachtungen unterscheiden sich von denen frilherer mikroskopischer Durchsichtuntersuchungen galvanischer Uberztlge dadurch, dam aus ihnen der Charakter und die Zahl der Fehlstellen in der Grenmchicht hervorgeht. Die Ergebnisse lassen darauf schliessen, dass sich bei eringer Abscheidungsgeschwindigkeit epitaxiale &xziige bilden, bei grGerer dagegen polykrista i. weit hbhere Fehlstellendichte besitren als die epitaxialen Uberrtlge. me, die eine
π SIMILAR VOLUMES