Institute of the Academy of Scienoee of the USSR,
Leningrad
Electron-Beam Microprobe Analysis of Epitaxial GlaJn,-z Solid Solutions
GazInl -,P epitaxial layers were investigated by means of a scanning electron microscope X-ray microanalyser. The conditions for quantitative X-ray microprobe analysis are discussed. The growth of Ga,Inl -,P layers is possible on GaP substrates with x > 0,s and on GaAe with 0,3 < x < 0,B. For the deposition of layers with 0,6 < z < 0,s two substrate materials are possible: GaAel-,PZ or GazIni-zP with suitable compositions. These materials must be epitaxially deposited by step by step layer growth or by vapour phase epitaxy, respectively.
Mit Hilfe eines Elektronenstrahl-Mikoanalysators wurden epitaktische Ga,Inl-Z P -Schichten untersucht. Bedingungen fur die quantitative Elektronenstrahl-likoanalyse werden diskutiert.
GaJnl-,P Schichten mit 2 > 0,s konnen auf GaP Substraten, solche mit 0,3 < 2 < 0,6 auf GaAs Substraten abgeschieden werden. Zur Zuchtung von Epitaxieschichten mit 0,6 < 2 < 0,s stehen zwei Substratmaterialien zur Verfiigung: Ga,Ini -zP, welches uber mehrere Zwischenschichten mit abnehmenden 2 auf GaP abgeschieden wird, beziehungsweise GaAsZP1-, geeigneter Zusammensetzung, welches durch Gasphasenepitaxie erhalten wird.