Calibration curves to determine P, B, and A1 concentrations in silicon at 4.2 K from the intensity ratios of bound (BE) and free (FE) exciton related luminescence are presented. The integral relative intensities of the peaks are used besides the peak height ratios. By means of a large number of samples with widely varying concentrations it is shown that the influence of the compensation ratios of the samples on the determination of the dopant concentrations is smaller than the measurement errors. Integral intensity ratios of different BE phonon branches are also derived.
Kalibrierungskurven zur Bestimmung der P-, B-und Al-Konzentrationen in Silizium bei 4,2 K aus den Verhaltnissen der Intensitaten der durch die Rekombination von gebundenen (BE) und freien (FE) Exzitonen verursachten Peaks des Spektrums werden vorgestellt. Neben den Peakhohenverhaltnissen werden auch die relativen integralen Verhaltnisse zur Kalibrierung benutzt. An Hand einer groDen Anzahl von Proben mit stark variierenden Konzentrationen wird gezeigt, daD der Kompensationsgrad der Proben keinen EinfluD auf die Bestimmung der Konzentrationen der flachen Storstellen hat. Integrale Intensitatsverhaltnisse der verschiedenen BE-Phononenzweige werden abgeleitet.