Atomic Processes during Crystal Growth Studied by Reflection High-Energy Electron Diffraction

✍ Scribed by Dr. L. Däweritz

• Publisher: John Wiley and Sons
• Year: 1993
• Tongue: English
• Weight: 623 KB
• Volume: 28
• Category: Article
• ISSN: 0232-1300
• DOI: 10.1002/crat.2170280608

✦ Synopsis

After a short retrospect on the development of the electron diffraction techniques it is shown that the atomic-scale morphology of the crystal surface and growth processes on it can be studied in detail during molecular beam epitaxy (MBE) by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). This is demonstrated for the evolution of the terrace-step-structure of the singular GaAs (001) surface during growth and after growth interruption and for the attachment of Si atoms at misorientation steps on vicinal GaAs (001) surfaces.

Nach einem kurzen Ruckblick auf die Entwicklung der Elektronenbeugungsmethoden wird gezeigt, da13 die Morphologie der Kristalloberflache in atomaren Dimensionen und auf ihr ablaufende Wachstumsprozesse bei der Molekularstrahlepitaxie detailliert mittels Reflexionselektronenbeugung studiert werden konnen. Das wird dargelegt fur die Entwicklung der Terrassen-Stufen-Struktur auf der singularen GaAs(OOl)-Oberflache wahrend des Wachstums und nach Wachstumsunterbrechung sowie fur die Anlagerung von Si-Atomen an Fehlorientierungsstufen auf GaAs(O0 I)-Vizinalflachen.