Über Versetzungsbildungsmechanismen bei
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Dr.Phys. W. Geil; Dr. A. Lebek; Dipl. Phys. K. Schmugge
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Article
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1976
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John Wiley and Sons
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English
⚖ 647 KB
## Abstract Die Züchtung von 〈111〉 orientierten Si‐Einkristallen hoher struktureller Perfektion wird mit steigendem Kristalldurchmesser schwieriger. Deshalb ist für die Entwicklung geeigneter Züchtungsverfahren zur Herstellung versetzungsfreier Kristalle die Kenntnis über die Bildung von Versetzung