Über die passivierung von p-n-übergängen in silizium durch anodische oxydation
✍ Scribed by G. Mende; K.-D. Butter; B. Schmidt
- Publisher
- Elsevier Science
- Year
- 1983
- Tongue
- English
- Weight
- 242 KB
- Volume
- 102
- Category
- Article
- ISSN
- 0040-6090
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## Abstract Für die Sperrschichtkapazität werden eine Anfangskapazität und ein Spannungskoeffizient eingeführt und deren Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung angegeben. Die Temperaturabhängigkeit der Sperrschichtkapazität bei verschiedenen Vorspannungen wird eingehend untersucht und eine Method
Bild 2 Schematische Darstellung der angenommeuen n-Elektronenverteilung im Molekiil . . igI6e Dieses Ergebnis stutzt die von Dahne u. Mitarb. [6], [GI ausgesprochene Vermutung, da13 in der hier untersuchten Substanz (wie auch in anderen ahnlich gebauten Chinonen) gekoppelte Trimethine vorliegen. Nac