✦ LIBER ✦

Statische Eigenschaften von Siliziumdioden im Sperrbereich mit besonderer Berücksichtigung abrupter p-n-Übergänge II. Die Sperrschichtkapazität

✍ Scribed by J. Antula

Publisher: John Wiley and Sons
Year: 1963
Tongue: English
Weight: 253 KB
Volume: 3
Category: Article
ISSN: 0370-1972
DOI: 10.1002/pssb.19630031007

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Abstract

Für die Sperrschichtkapazität werden eine Anfangskapazität und ein Spannungskoeffizient eingeführt und deren Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung angegeben. Die Temperaturabhängigkeit der Sperrschichtkapazität bei verschiedenen Vorspannungen wird eingehend untersucht und eine Methode zur Kompensation des Temperaturganges der Sperrschichtkapazität diskutiert.

📜 SIMILAR VOLUMES

Statische Eigenschaften von Siliziumdiod

Statische Eigenschaften von Siliziumdioden im Sperrbereich mit besonderer Berücksichtigung abrupter p-n-Übergänge I. Der Spannungsdurchbruch

✍ J. Antula 📂 Article 📅 1963 🏛 John Wiley and Sons 🌐 English ⚖ 511 KB

## Abstract Die Arbeit befaßt sich mit der Bestimmung des Anteiles von Stoßionisation und Feldemission in abrupten Silizium‐__p__‐__n__‐Übergängen am elektrischen Durchschlag. Bei bestimmten Durchbruchspannungen sind beide Mechanismen wirksam. Für jeden Durchbruchsmechanismus wird ein Anteilskoeffi