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Statische Eigenschaften von Siliziumdioden im Sperrbereich mit besonderer Berücksichtigung abrupter p-n-Übergänge I. Der Spannungsdurchbruch

✍ Scribed by J. Antula

Publisher: John Wiley and Sons
Year: 1963
Tongue: English
Weight: 511 KB
Volume: 3
Category: Article
ISSN: 0370-1972
DOI: 10.1002/pssb.19630031006

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✦ Synopsis

Abstract

Die Arbeit befaßt sich mit der Bestimmung des Anteiles von Stoßionisation und Feldemission in abrupten Silizium‐p‐n‐Übergängen am elektrischen Durchschlag. Bei bestimmten Durchbruchspannungen sind beide Mechanismen wirksam. Für jeden Durchbruchsmechanismus wird ein Anteilskoeffizient eingeführt und seine Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung festgestellt. Dadurch wird es ermöglicht, die Spannungsabhängigkeit des Durchbruchsstromes auch im Übergangsbereich, in dem beide Durchbruchsmechanismen parallel wirken, zu errechnen.

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## Abstract Für die Sperrschichtkapazität werden eine Anfangskapazität und ein Spannungskoeffizient eingeführt und deren Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung angegeben. Die Temperaturabhängigkeit der Sperrschichtkapazität bei verschiedenen Vorspannungen wird eingehend untersucht und eine Method