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Zur Vorzeichenumkehr des photovoltaischen Effektes in Halbleitern

✍ Scribed by K. Thiessen; G. Jungk

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1963
Tongue
English
Weight
358 KB
Volume
3
Category
Article
ISSN
0370-1972

No coin nor oath required. For personal study only.

✦ Synopsis

Abstract

Die Vorzeichenumkehr photovoltaischer Effekte bei Änderung der Photonenenergie, der Lichtintensität und der Temperatur wird durch eine p‐n‐p‐Struktur erklärt und anhand von Messungen an speziell hergestellten p‐n‐p‐Strukturen aus Ge, Si und SiC verifiziert.

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Addition von Phenol an (CH,),P=CH, ergibt kristallines (CH,),POC,H, (Fp=71-7S0C, Zers.), das in CH,CI, schon bei 25°C ein NMR-Spektrum mit einem Dublett fur die (CH,),P-Gruppe zeigt. Mit steigender Aciditat des Alkohols wird somit der analog GI. (1) verlaufende Protonenaustausch zuriickgedrangt. Mit