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Zur Bestimmung von Oberflächenzustandsdichten an n-GaAs und n-GaP in wäßrigen Elektrolyten durch Kapazitätsmessungen

✍ Scribed by Reinhard Weiche; Jörg Westfahl; Peter Janietz; Ronald Dehmlow


Publisher
Wiley (John Wiley & Sons)
Year
2010
Weight
273 KB
Volume
19
Category
Article
ISSN
0044-2402

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✦ Synopsis


was wiederum mit den radiochemischen Messungen iibereinstimmt [l], [8]. Durch die Beeinflussung der Desolvatation der Ionen bei gleichzeitiger Anwesenheit organischer Losungsmittel wird die Einstellung der Phasengrenzflachenprozesse beschleunigt. Gleichzeitig nimmt auch die adsorbierte Ionenmenge mit steigendem Gehalt an organischem Losungsmittel zu. Naturlich ist auch die Abna hme der Loslichkeit der Niederschlage mit steigendem Gehalt an organischem Losungsmittel fur die GroBe des Potentialsprungs am Aquivalenzpunkt von Bedeutung. Desgleichen ist die Struktur der Phasengrenzflache sowie der festen Phase fur die Eignung bestimmter Elektrodensysteme zur Indizierung potentiometrischer Titrationen ausschlaggebend. Die Adsorptionsmessungen ermoglichen somit Auseagen zum Ein-fluB der Desolvatation bei Stoffubergangsprozessen an Phasengrenzflachen, die sowohl fur die Stofftrennung als auch fur elektrochemische Indizierungen von Interesse sind.


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2. I n vielen Fallen tritt bei d = 4,06 A ein Reflex zusatzlich auf [relative Intensitat bis 20), der bisher nur als der Nachweis fur das Vorhandensein von Tief-Criptobalit (SiO,) gedeutet und aus dem Auftreten von Wasserdampf im Reaktionsraum gedeutet wurde. Nach dem reinen Zahlenwert kann es sich