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Zur Bestimmung von Oberflächenzustandsdichten an n-GaAs, n-GaAs 1-xPx und n-GaP in wäßrigen Elektrolytlösungen durch Kapazitätsmessungen unter Belichten

✍ Scribed by Peter Janietz; Ronald Dehmlow; Reinhard Weiche; Jorg Westfahl


Publisher
Wiley (John Wiley & Sons)
Year
2010
Weight
272 KB
Volume
19
Category
Article
ISSN
0044-2402

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✦ Synopsis


  1. I n vielen Fallen tritt bei d = 4,06 A ein Reflex zusatzlich auf [relative Intensitat bis 20), der bisher nur als der Nachweis fur das Vorhandensein von Tief-Criptobalit (SiO,) gedeutet und aus dem Auftreten von Wasserdampf im Reaktionsraum gedeutet wurde. Nach dem reinen Zahlenwert kann es sich bei diesem Reflex auch eindeutig urn den (200)-Reflex von K,SiF, handeln, der bei nichtthermischen Normalchargen zwar fehlt, der aber keine strukturell bedingte Ausloschung darstellt.

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was wiederum mit den radiochemischen Messungen iibereinstimmt [l], [8]. Durch die Beeinflussung der Desolvatation der Ionen bei gleichzeitiger Anwesenheit organischer Losungsmittel wird die Einstellung der Phasengrenzflachenprozesse beschleunigt. Gleichzeitig nimmt auch die adsorbierte Ionenmenge mi