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Zur Anregungs–Rekombinationsstatistik in Halbleitern

✍ Scribed by G. Jungk

Publisher
John Wiley and Sons
Year
1966
Tongue
English
Weight
514 KB
Volume
18
Category
Article
ISSN
0370-1972

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## Abstract Die Vorzeichenumkehr photovoltaischer Effekte bei Änderung der Photonenenergie, der Lichtintensität und der Temperatur wird durch eine p‐n‐p‐Struktur erklärt und anhand von Messungen an speziell hergestellten p‐n‐p‐Strukturen aus Ge, Si und SiC verifiziert.